第272章 成功了！光刻工厂实现了！

3纳米极紫外光？

检测光束设备给出的数据反馈让所有人大吃一惊，3纳米的极紫外光束，这岂不是说他们即将具备制造3纳米芯片的条件？

众所周知，在不考虑《多重曝光技术》的情况下，想要刻出几纳米级的芯片，就要先制造出多少纳米的紫外光光源。

193纳米的深紫外光还好说，大自然里面也能找得到，但13.5纳米及以下的极紫外光，那就必须由人为创造。

深紫外光和极紫外光，和分别对应了duv光刻机和euv光刻机，后者现在还处于禁止出口龙国的设备清单里面。

一旦这束光源被证实，确实是可以运用于光刻的极紫外光，那么整个芯片行业都将被颠覆。

“真是3纳米吗？”

夏扬神色激动，向前一步。

他大学虽然学的不是半导体，但这并不代表他不懂芯片制造。

想要光刻14纳米芯片，就要制造13.5纳米波长的极紫外光，这在各种半导体咨询媒体铺天盖地宣传下，早已经人尽皆知。

3纳米波长？

陈星从震撼中回过神，给雷兵与夏扬讲解道：“具备光源还不够，如果真要造3纳米芯片，我们还要经历芯片设计与研制光刻胶。”

刚说完，他立马看向设备操控台，开始输入指令，时不时还跑到一侧去操作。

想要制造出3纳米芯片，3纳米极紫外光、3纳米芯片电路设计、3纳米曝光波长光刻胶缺一不可，这也是为什么，芯片纳米等级推进缓慢的原因。

“那就是两块光掩膜版堆叠，两块透明基板会削弱极紫外光能量，导致光刻失败。”

“不能这样说。”

正因为技术门槛高，大洋彼岸才能用芯片做文章。

运输装置自动取片。

现在主流芯片是14纳米，无论是龙兴科技的soc上帝芯片，还是苹果公司的a9s仿生芯片，亦或者说是髙通公司刚刚推出的骁龙821芯片，它们都是14纳米制程，根本够不着3纳米的边边。

这就是光刻工厂，亦或者说光刻全自动工厂。

光刻工厂不同于光刻机，它更像是一条完整的自动化流水线，只需要装填半导体硅片以及光刻胶与配套试剂，输入指令后就可以进行自动化生产。

像目前龙兴化工研制的1号光刻胶，它的曝光波长就在193纳米，最高支持7纳米芯片制造，这还是有多重曝光技术加持的情况下。

每推进一步，都需要各行

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